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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供EMC4DXV5T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMC4DXV5T1G价格参考。ON SemiconductorEMC4DXV5T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载EMC4DXV5T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EMC4DXV5T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的EMC4DXV5T1G是一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内置电阻,采用小型表面贴装封装。该器件集成了两个PNP晶体管,每个晶体管均配有内置基极和发射极电阻,简化了电路设计并减少了外部元件数量。 EMC4DXV5T1G主要适用于需要高集成度、节省空间和高可靠性的低功率模拟与数字开关应用。典型应用场景包括:便携式电子设备中的信号切换与电平转换,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备;消费类电子产品中的LED驱动与电源管理电路;以及各类小型化嵌入式系统中的逻辑接口与控制电路。由于其内置偏置电阻,该器件在上电时能自动建立工作点,提升了启动稳定性和抗干扰能力,特别适合对尺寸和功耗敏感的设计。 此外,该产品符合RoHS环保要求,支持无铅焊接工艺,适用于自动化贴片生产。凭借安森美在半导体领域的技术积累,EMC4DXV5T1G在性能一致性、温度稳定性和长期可靠性方面表现出色,广泛用于工业控制、家用电器和通信模块等对成本与性能平衡要求较高的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | EMC4DXV5T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-553 |
| 其它名称 | EMC4DXV5T1GOS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-553 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k,10k |
| 频率-跃迁 | - |