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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114EPDP6T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114EPDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC114EPDP6T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBC114EPDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC114EPDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSBC114EPDP6T5G 的晶体管属于 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 预偏置双极结型晶体管阵列(BJT Array)。该器件通常包含多个集成的BJT晶体管,并带有内置偏置电阻,简化电路设计并节省PCB空间。 应用场景包括: 1. 数字开关电路:适用于需要多个晶体管协同工作的数字逻辑开关应用,如电平转换、信号控制等。 2. LED驱动电路:可用于驱动多个LED或LED显示屏,预偏置设计可减少外围元件数量。 3. 继电器或负载驱动:在汽车电子或工业控制中,用于驱动小型继电器、电机或电磁阀。 4. 接口电路:作为微控制器与高功率设备之间的接口,实现信号放大或隔离。 5. 消费类电子产品:如打印机、扫描仪、家用电器等,用于控制各种执行器或传感器。 6. 汽车电子系统:用于车身控制模块(BCM)、照明控制、风扇控制等,具备较高可靠性和集成度。 该器件采用小型封装(如PDP6),适用于空间受限的设计,且因其集成电阻,简化了偏置电路设计,提高了系统稳定性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT963开关晶体管 - 偏压电阻器 SOT-963 COMP NBRT |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSBC114EPDP6T5G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSBC114EPDP6T5G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-963 |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 339mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-963 |
封装/箱体 | SOT-963-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
系列 | NSBC114EPDP6 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
频率-跃迁 | - |