Datasheet下载- 型号： MUN5333DW1T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5333DW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5333DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5333DW1T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5333DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5333DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5333DW1T1是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内置两个由电阻配置的NPN晶体管，集成基极-发射极和基极-集电极偏置电阻，简化电路设计。该器件适用于需要紧凑、高可靠性开关功能的应用场景。 典型应用包括便携式电子设备中的逻辑信号切换、LED驱动控制、小型继电器或负载驱动、电源管理开关以及各类低电压数字控制接口。因其内置偏置电阻，无需外接多个分立电阻，有效节省PCB空间，特别适合高密度布局的消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。 此外，该器件也广泛用于工业控制模块、传感器信号调理电路及微控制器周边驱动电路中，实现电平转换与信号放大。其SOT-26封装体积小、热性能良好，适合自动化贴片生产，提升制造效率。 总体而言，MUN5333DW1T1凭借集成化设计、稳定性能和小型封装，成为现代电子系统中理想的开关与驱动解决方案，尤其适用于空间受限且对成本和可靠性有要求的中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5333DW1T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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