Datasheet下载- 型号： PEMB20,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB20,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB20,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB20,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMB20,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMB20,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMB20,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极间的偏置电阻（典型配置：R₁ = 10 kΩ，R₂ = 10 kΩ），支持直接逻辑电平驱动，无需外置偏置电路。 其主要应用场景包括： ✅ 数字逻辑接口与电平转换：用于微控制器（如 ARM、AVR、PIC）GPIO 扩展，驱动 LED、继电器或小功率负载，兼容 3.3 V/5 V TTL/CMOS 输出。 ✅ LED 驱动阵列：双通道结构适合驱动双色 LED 或并行指示灯，内置电阻简化 PCB 设计并提升一致性。 ✅ 开关电源辅助控制：在 DC-DC 转换器中用作使能（EN）信号缓冲、反馈路径隔离或次级侧同步整流控制信号调理。 ✅ 工业 I/O 模块：作为可编程逻辑控制器（PLC）输入端的信号调理单元，提供电流限制与静电防护（ESD 保护达 ±4 kV HBM）。 ✅ 电池供电设备：低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC = 10 mA）与低待机电流特性，有助于延长便携设备续航。 该器件采用 SOT-666 小型封装（2.1 mm × 1.6 mm），适合高密度布局；工作温度范围为 −65 °C 至 +150 °C，满足工业及汽车电子（AEC-Q101 兼容）基础要求。典型应用无需额外元件，显著降低 BOM 成本与设计复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMB20,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMB20,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058916115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMB20 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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