Datasheet下载- 型号： NSBA144WDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA144WDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA144WDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA144WDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA144WDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA144WDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA144WDP6T5G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个带有内置偏置电阻的NPN型BJT晶体管。该器件采用SOT-563（SC-88）小型封装，具有高集成度和节省空间的优点，适用于对尺寸敏感的便携式电子设备。 其典型应用场景包括： 1. 逻辑信号电平转换：在不同电压逻辑系统（如3.3V与5V之间）中实现信号转换，利用其内置偏置电阻简化电路设计。 2. 开关控制电路：用于驱动LED、继电器、小功率负载或作为数字开关，广泛应用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中。 3. 接口缓冲与驱动：在微控制器与外围器件之间提供信号放大与隔离，增强驱动能力。 4. 便携式设备中的电源管理：用于开启/关闭电源路径，实现低功耗控制。 由于内置偏置电阻，NSBA144WDP6T5G减少了外部元件数量，提高了可靠性并缩小了PCB面积，特别适合高密度、小型化设计需求。同时，其良好的开关特性和稳定性也适用于工业控制、通信模块及传感器接口等场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA144WDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 408mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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