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Datasheet下载- 型号： PUMD15,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PUMD15,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD15,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD15,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD15,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD15,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD15,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PUMD15,115 是一款集成预偏置电阻的双极性晶体管（BJT）阵列器件，广泛应用于需要高集成度和稳定性的电子电路中。该器件内部包含多个BJT晶体管，并集成了偏置电阻，简化了外围电路设计，提高了系统稳定性。 其主要应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与接口电路：适用于不同电压电平之间的信号转换，如将微控制器的信号转换为驱动外部设备所需的电平。 2. 开关电路：常用于低功率开关应用，如LED驱动、继电器控制、电机控制等，其集成电阻可减少外部元件数量。 3. 信号放大：在音频或模拟信号处理中，用于小信号放大，特别是在对电路尺寸和功耗有要求的场合。 4. 电源管理电路：用于电源切换、负载开关或稳压电路中，提高电源效率与可靠性。 5. 工业自动化与控制设备：广泛应用于PLC、传感器接口、继电器驱动等工业控制系统中。 6. 消费类电子产品：如智能家电、便携设备、电源适配器等，因其体积小、稳定性高，适合高密度PCB布局。 PUMD15,115 由于其高可靠性、低功耗和简化设计的特点，是现代电子设计中常用的通用晶体管阵列器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD15,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMD15,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-11279-6 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMD15 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
