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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB19,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB19,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB19,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMB19,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMB19,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 是一家知名的半导体制造商,其型号为 PEMB19,115 的器件属于晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置类别。该器件主要集成了多个预偏置双极型晶体管,适用于需要高稳定性和快速响应的电路设计。 该型号常见应用场景包括: 1. 开关电路:由于预偏置晶体管内部已集成偏置电阻,可简化外围电路设计,广泛用于数字开关控制、逻辑电平转换等场景。 2. 放大电路:适用于低频信号放大,如音频前置放大、传感器信号调理等应用。 3. 汽车电子系统:如车身控制模块、照明控制、电机驱动等,得益于其高可靠性和集成设计,适合严苛的车载环境。 4. 工业控制:用于PLC(可编程逻辑控制器)、继电器驱动、电源管理模块等工业自动化设备中。 5. 消费类电子产品:如智能家电、充电器、电源适配器等,用于提高电路效率和稳定性。 PEMB19,115 的封装和电气特性使其在电路设计中具有高集成度、节省PCB空间的优势,适合批量生产和高密度布局。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PEMB19,115 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
供应商器件封装 | SOT-666 |
其它名称 | 934058915115 |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
标准包装 | 4,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
频率-跃迁 | - |