Datasheet下载- 型号： PEMB19,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB19,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB19,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB19,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMB19,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMB19,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMB19,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个 NPN 晶体管，各配独立的基极-发射极偏置电阻（R1/R2），无需外部偏置电路，简化设计并提升可靠性。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如ARM、PIC）I/O口与外部负载（LED、继电器、小功率MOSFET栅极）之间的信号缓冲与电流放大； 2. LED驱动与指示灯控制：支持低至1mA输入驱动能力，适用于多路状态指示、面板背光控制等中低电流（≤100mA集电极电流）场合； 3. 开关电源中的辅助电路：在AC-DC或DC-DC模块中用作反馈信号调理、使能（EN）信号整形、过压/过流保护触发开关； 4. 工业I/O模块与PLC输入级：作为光电耦合器后级的信号恢复/放大单元，提高抗干扰能力与响应速度； 5. 消费电子待机控制：在电视、机顶盒等设备中实现主/辅电源的智能切换与低功耗唤醒功能。 该器件采用SOT-666封装，体积小、热性能优，支持-65°C~+150°C宽温工作，具备高增益（hFE 80–600）、低饱和压降（VCE(sat) < 0.15V @ IC=10mA）及ESD防护（HBM 8kV），特别适合空间受限、需高集成度与稳定性的嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMB19,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058915115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
PEMB19,115 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商