Datasheet下载- 型号： NSBA123TDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA123TDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA123TDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA123TDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA123TDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA123TDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA123TDP6T5G是安森美（ON Semiconductor）推出的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个PNP型BJT晶体管，并内置偏置电阻，简化了外围电路设计。该器件常用于需要高集成度和小尺寸解决方案的电子系统中。 典型应用场景包括：便携式消费类电子产品中的信号开关与电平转换，如智能手机、平板电脑中的LED驱动或电源管理模块；工业控制设备中的逻辑缓冲与驱动电路；通信设备中的小信号放大与开关控制；以及各类嵌入式系统中的I/O扩展与接口驱动。由于其内置偏置电阻，无需外接基极电阻，显著减小PCB面积，提升可靠性，特别适合高密度贴装需求。 此外，该器件具有良好的温度稳定性和快速开关特性，适用于环境变化较大的工业与汽车电子场景，如车载信息终端、传感器信号调理模块等。其SMT封装形式（如SOT-563）支持自动化生产，有助于提高制造效率。 综上，NSBA123TDP6T5G广泛应用于消费电子、工业控制、通信及汽车电子等领域，尤其适合空间受限、要求高可靠性和简化设计的低功率开关与信号处理电路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA123TDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 408mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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