Datasheet下载- 型号： EMB9T2R
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMB9T2R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMB9T2R价格参考。ROHM SemiconductorEMB9T2R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMB9T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMB9T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
EMB9T2R 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款预偏置双极型晶体管阵列，主要应用于需要高效、稳定信号处理和功率控制的电路设计中。该器件集成了多个BJT晶体管，并内置偏置电路，简化了外围电路设计，提高了系统稳定性。 主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、电压调节器等，用于实现高效的功率开关与稳压控制。 2. 工业自动化设备：在PLC、传感器接口、继电器驱动等场合中，作为信号放大或隔离驱动元件。 3. 消费类电子产品：如电视、音响、家电控制模块中，用于音频放大、负载开关或LED背光驱动。 4. 汽车电子系统：可用于车身控制模块（BCM）、车灯驱动、电机控制等对可靠性和集成度要求较高的场景。 5. 通信设备：在基站、路由器等设备中的电源控制和信号路由部分发挥作用。 综上，EMB9T2R因其集成化设计和良好的电气性能，广泛适用于多种中低功率电子系统的设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL PNP 50V 70MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor EMB9T2R- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | EMB9T2R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | EMT6 |
| 其它名称 | EMB9T2RDKR |
| 典型电阻器比率 | 4.7 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | EMT-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 68 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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