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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IMB4AT110由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMB4AT110价格参考。ROHM SemiconductorIMB4AT110封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IMB4AT110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMB4AT110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号为 IMB4AT110 的晶体管,属于双极型晶体管(BJT)阵列,并带有预偏置功能。该器件在设计上集成了多个BJT晶体管以及偏置电阻,适用于需要高效、稳定信号处理的电路应用。 典型应用场景包括: 1. 逻辑电平转换与接口电路:用于数字电路中不同电压电平之间的信号转换,确保信号稳定传输。 2. 驱动小型继电器或LED:其集成预偏置结构可简化外围电路设计,适合用于LED显示驱动或小型负载控制。 3. 模拟开关与放大器电路:可作为小信号放大或模拟开关使用,适用于传感器信号调理等场景。 4. 消费类电子产品:如手机配件、便携式设备、家电控制电路中,用于信号处理或电源管理。 5. 工业控制电路:用于PLC、传感器模块、小型执行机构的控制电路中,提升系统集成度与稳定性。 该器件采用小型封装,功耗低,适合高密度PCB布局,广泛应用于对空间和可靠性有要求的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IMB4AT110 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 其它名称 | IMB4AT110DKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |