Datasheet下载- 型号： EMF18XV6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMF18XV6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMF18XV6T5G价格参考。ON SemiconductorEMF18XV6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMF18XV6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMF18XV6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的EMF18XV6T5G是一款预偏置双极性晶体管阵列，内置电阻，采用小型SOT-563封装。该器件集成了两个NPN型BJT晶体管，每个均配有内置基极和发射极电阻，简化了外围电路设计，提高了系统可靠性。 EMF18XV6T5G主要适用于需要小型化、高集成度和低功耗控制的场景。常见应用包括便携式电子设备中的信号切换与电平转换，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的逻辑控制电路。其内置电阻减少了外部元件数量，适合空间受限的高密度PCB布局。 此外，该器件广泛用于LCD背光驱动、LED开关控制、传感器信号调理及小功率继电器或马达驱动电路中。由于具备良好的开关特性与稳定的偏置配置，也常用于电源管理模块中的启停控制和负载切换。 工业自动化和消费类电子产品中，EMF18XV6T5G可用于接口电路，实现微控制器与执行器之间的信号缓冲与放大。其高可靠性和符合RoHS的环保设计，使其在汽车电子中的非动力系统（如车载信息娱乐系统、车内照明控制）也有一定应用。 总之，EMF18XV6T5G凭借其紧凑封装、集成化设计和稳定性能，特别适合对尺寸、功耗和装配成本敏感的中低功率模拟与数字控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | EMF18XV6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA / 500mV @ 5mA， 50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V / 120 @ 1mA，6V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 140MHz |
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