ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMD10,115
Datasheet下载- 型号： PUMD10,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD10,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD10,115价格参考￥0.10-￥0.10。NXP SemiconductorsPUMD10,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD10,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD10,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMD10,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个 NPN 晶体管，各集成基极-发射极电阻（R₁=10 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=10 kΩ），采用 SOT-363（SC-70-6）小型封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）GPIO 输出扩展，将3.3V/5V逻辑信号转换为足够驱动LED、小型继电器或MOSFET栅极的电流信号。 2. LED 驱动电路：常用于多路LED指示灯控制（如状态面板、消费电子设备背光/提示灯），预偏置设计简化外围电路，无需外接基极电阻，节省PCB面积并提升可靠性。 3. 开关电源与负载开关：在低功耗DC-DC模块中用作使能控制或次级侧反馈开关，支持高达100 mA的连续集电极电流（IC），具备良好开关速度与饱和压降低（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC = 10 mA）。 4. 传感器信号调理与简单放大：在非精密场合（如按键检测、光电开关输出整形）中作为有源开关或射极跟随器使用，预设偏置确保快速、稳定的开关响应。 5. 工业I/O模块与家电控制板：因高ESD防护（HBM ±4 kV）、宽工作温度（−65°C 至 +150°C）及AEC-Q101兼容性（部分批次），亦适用于汽车电子辅助系统（如车灯控制、HVAC面板）。 综上，PUMD10,115 主要面向空间受限、需简化设计、中低功率开关应用的嵌入式系统，兼顾成本、可靠性和易用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD10,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMD10,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-10322-6 |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMD10 T/R |
| 频率-跃迁 | 230MHz |
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