Datasheet下载- 型号： MUN5234DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5234DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5234DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5234DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5234DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5234DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5234DW1T1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，主要应用于需要高集成度和稳定偏置电路的场合。该器件内部集成了两个预偏置的NPN晶体管，具有体积小、外围电路简洁、稳定性高等优点。 典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、负载开关或电源控制电路中，实现高效能和小型化设计。 2. 工业控制：如PLC输入输出模块、传感器信号调理电路中的开关控制。 3. 通信设备：用于基站、路由器或交换机中的信号切换和功率控制。 4. 消费类电子产品：如智能家电、LED驱动控制电路，用于控制负载的通断。 5. 汽车电子：用于车身控制模块、照明控制或电机驱动电路中，适应较宽的工作电压和温度范围。 该器件采用SOT-26封装，适合高密度PCB布局，适用于需要节省空间和提高可靠性的设计。由于其内置偏置电阻，可减少外围元件数量，简化电路设计，提高生产效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5234DW1T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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