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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PBLS6022D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS6022D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS6022D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS6022D,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBLS6022D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS6022D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS6022D,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极电阻（R₁=10 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=47 kΩ），实现免外部偏置设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）GPIO输出驱动LED、小型继电器或光耦输入端，简化电路并提升响应速度； 2. 高密度板级信号切换：双通道结构节省PCB面积，常用于打印机、POS终端、工业HMI等人机交互设备中的多路指示灯或状态信号控制； 3. 低功耗传感信号调理：配合霍尔传感器、光电开关等数字输出型传感器，作为缓冲/反相/电平整形单元，增强抗干扰能力； 4. 电池供电便携设备：具备低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）和低待机电流特性，适用于TWS耳机充电仓、智能穿戴设备的状态指示电路； 5. 汽车电子辅助功能：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于车身控制模块（BCM）中非安全相关的LED背光、按键反馈等子系统。 该器件采用SOT-363（SC-70-6）微型封装，支持无铅回流焊，兼顾性能、集成度与量产适应性。实际应用中需注意最大连续集电极电流（IC = 100 mA/通道）、功耗限制及ESD防护设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 60V/1.3A LOADSWITCH IN SOT457 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PBLS6022D,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBLS6022D,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 260mV @ 100mA， 1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V / 140 @ 1A，2V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 934061569115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 760mW |
| 功率耗散 | 370 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74-6 |
| 峰值直流集电极电流 | - 3 A |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 1 PNP 预偏压式，1 PNP |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，1.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 285 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
| 集电极连续电流 | - 1.5 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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