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Datasheet下载- 型号： RN2701JE(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2701JE(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2701JE(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2701JE(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN2701JE(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN2701JE(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RN2701JE(TE85L,F)是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）推出的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个带内置偏置电阻的NPN晶体管。该器件采用紧凑的SOT-563封装，适合高密度贴装，广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中。 其主要应用场景包括：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等移动设备中的信号切换与逻辑电平转换；LCD背光驱动电路中的开关控制；小型电机或继电器的驱动电路；以及各类电池供电设备中的低功耗开关应用。由于内置偏置电阻，简化了外部电路设计，减少了元器件数量，提高了系统可靠性，特别适用于空间受限且追求高集成度的设计。 此外，RN2701JE还常用于音频放大电路的前置驱动级、传感器信号调理模块及微弱信号的开关控制。其良好的高频响应特性也使其适用于数据通信接口中的信号缓冲与整形。整体而言，该型号凭借小尺寸、高可靠性与设计便捷性，广泛服务于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN DUAL CE PNP ESV -50V -100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2701JE |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RN2701JE(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | ESV |
| 其它名称 | RN2701JE(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-553 |
| 晶体管类型 | 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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