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  • 型号: PEMD48,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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PEMD48,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD48,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD48,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD48,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMD48,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMD48,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PEMD48,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,5V / 100 @ 10mA,5V

供应商器件封装

SOT-666

其它名称

568-11263-1

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k,22k

频率-跃迁

-

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