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Datasheet下载- 型号： PEMD48,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PEMD48,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD48,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD48,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD48,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMD48,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD48,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMD48,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置4通道NPN型晶体管，每路集成基极-发射极电阻（R₁）和基极-集电极反馈电阻（R₂），实现免外部偏置设计。其典型应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）I/O口扩展，驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗逻辑电路，简化外围电路并提升响应速度。 - 高密度信号切换与多路控制：凭借SOT-143封装（4引脚×4通道）的小尺寸和共发射极配置，适用于空间受限的便携设备（如智能穿戴、IoT传感器节点）中多路信号的通断控制。 - 工业与消费类电子中的输入/输出缓冲：在PLC模块、家电控制板（如洗衣机主控、空调显示板）中用作输入信号整形（抗干扰）、输出端口保护及电流放大，提高系统可靠性。 - 替代分立偏置方案：相比传统“晶体管+2个电阻”设计，PEMD48,115可减少BOM数量、PCB面积及贴装成本，提升生产良率，适用于大批量低成本电子产品。 该器件支持−55°C至+150°C宽温工作，具备ESD防护（HBM > 8 kV），适合对可靠性与集成度要求较高的嵌入式应用。注意其最大集电极电流为100 mA（单通道），不适用于大功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PEMD48,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V / 100 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-11263-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k，22k |
| 频率-跃迁 | - |
