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  • 型号: PUMB9,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB9,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB9,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMB9,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMB9,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMB9,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PUMB9,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内含两个独立的 NPN 晶体管,每个均集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁ = 2.2 kΩ,R₂ = 47 kΩ),实现内置偏置,无需外部偏置电路。其主要应用场景包括:

1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:常用于微控制器(MCU)、FPGA 或逻辑器件与继电器、LED、小功率MOSFET等外设之间的信号缓冲与驱动,简化设计并提升可靠性。

2. 开关应用:适用于低功耗、中速开关场景,如电源使能控制、负载开关、状态指示(LED驱动)、传感器信号调理中的有源开关等。

3. 输入/输出端口保护与电平适配:凭借预偏置结构和ESD防护(符合IEC61000-4-2 Level 2),适合工业I/O模块、消费电子板级接口(如按键扫描、中断输入)等对鲁棒性要求较高的场合。

4. 空间受限的紧凑设计:采用SOT363(SC-70-6)小型封装,节省PCB面积,广泛用于便携设备、可穿戴产品及高密度模块化设计中。

该器件工作电压范围宽(VCEO = 50 V),最大IC为100 mA,具备良好热稳定性与一致性,特别适合替代分立偏置BJT方案,降低BOM成本与贴装复杂度。注意:不适用于线性放大或高频射频场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMB9,115-

数据手册

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产品型号

PUMB9,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

100mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 5mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

934057506115
PUMB9 T/R
PUMB9 T/R-ND

典型电阻器比率

0.2

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 个 PNP 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PUMB9 T/R

频率-跃迁

-

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