| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供EMD4DXV6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMD4DXV6T1G价格参考。ON SemiconductorEMD4DXV6T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载EMD4DXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EMD4DXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的EMD4DXV6T1G是一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内置电阻,适用于需要简化电路设计和节省PCB空间的应用场景。该器件集成了两个带有内置基极电阻的NPN晶体管,常用于逻辑电平转换、开关控制、信号放大及驱动小型负载等场合。 典型应用包括便携式电子设备中的LED驱动、电源管理开关、继电器或蜂鸣器驱动、微控制器I/O扩展缓冲,以及消费类电子产品如智能手机、平板电脑、家用电器中的低功耗开关电路。由于其内置偏置电阻,无需外接电阻即可实现稳定工作,有效降低元件数量和组装成本,提高系统可靠性。 此外,EMD4DXV6T1G采用小型化表面贴装封装(如SOT-563),适合高密度布局的紧凑型设备。其工作电压和电流适中,具备良好的开关特性与温度稳定性,广泛应用于工业控制、通信模块及各类嵌入式系统中的信号处理与接口驱动电路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563开关晶体管 - 偏压电阻器 Dual Complementary NPN & PNP Digital |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor EMD4DXV6T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | EMD4DXV6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 典型电阻器比率 | 1 at NPN, 0.21 at PNP |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms at NPN, 10 kOhms at PNP |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 357 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-553-5 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k,10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | EMD4DXV6 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |