Datasheet下载- 型号： NSBC123TDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC123TDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC123TDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC123TDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC123TDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC123TDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC123TDP6T5G 是一款由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT）阵列，属于预偏置类型。该器件集成了多个 BJT 晶体管单元，并针对特定应用场景进行了优化设计。以下是其主要应用场景： 1. 信号切换与放大 - NSBC123TDP6T5G 可用于低功率信号的切换和放大，例如在音频设备、传感器信号处理或通信系统中。预偏置特性使其能够快速稳定地进入工作状态，减少启动时间。 2. 模拟电路设计 - 在模拟电路中，该型号适合用作差分放大器、电流镜或有源负载等核心组件。其高精度和一致性确保了复杂电路的可靠运行。 3. 电源管理 - 该晶体管阵列可以应用于简单的电源管理模块，如电压调节器或电流限制电路。通过精确控制电流流动，它有助于提高系统的效率和稳定性。 4. 数据采集系统 - 在数据采集系统中，NSBC123TDP6T5G 能够作为输入缓冲器或增益级的一部分，提供稳定的信号传输和放大功能，适用于工业自动化、医疗设备等领域。 5. 消费电子 - 此类晶体管阵列常用于便携式电子产品（如遥控器、玩具等）中的小型化电路设计，支持低功耗和高效能的需求。 6. 测试与测量设备 - 在精密测试仪器中，该器件可用于构建高精度放大器或匹配网络，以实现对微弱信号的准确检测和处理。 特点总结： - 集成性：多路晶体管集成在一个封装内，节省空间并简化设计。 - 预偏置：内置偏置电阻，减少了外部元件需求，降低了设计复杂度。 - 可靠性：经过严格测试，具备良好的一致性和耐用性。 综上所述，NSBC123TDP6T5G 主要适用于需要高性能、高精度和低功耗的电子应用领域，尤其适合对成本敏感的小型化产品开发。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC123TDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 339mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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