Datasheet下载- 型号： NSBC113EDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC113EDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC113EDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC113EDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC113EDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC113EDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC113EDXV6T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内置电阻，采用SOT-23封装。该器件集成了一个NPN晶体管及两个片上电阻（通常为基极和发射极电阻），简化了电路设计，减少了外围元件数量。 其主要应用场景包括： 1. 开关电路：由于内置偏置电阻，NSBC113EDXV6T1G非常适合用作电子开关，广泛应用于便携式设备、消费类电子产品中的LED驱动、继电器控制或负载开关。 2. 逻辑电平转换：在数字系统中，可用于实现不同电压逻辑之间的信号转换，如将3.3V信号转换为5V或反之，适用于微控制器与外围器件的接口电路。 3. 信号放大与缓冲：适用于小信号处理场景，如传感器信号调理电路中作为缓冲级或驱动级使用。 4. 便携式与电池供电设备：因其小型封装和低功耗特性，常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和功耗敏感的应用。 5. 电源管理电路：在DC-DC转换器或电源使能控制中，用于启停控制MOSFET或其它功率器件。 6. 工业控制与汽车电子：具备良好的温度稳定性和可靠性，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等环境较严苛的场合。 总之，NSBC113EDXV6T1G凭借其集成化设计、高可靠性和小尺寸，广泛应用于消费电子、通信、汽车和工业控制等领域，特别适合需要简化设计、节省PCB空间的中低频开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC113EDXV6T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 3 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC113EDXV6T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
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