Datasheet下载- 型号： NSBA114EDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA114EDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA114EDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBA114EDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA114EDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA114EDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSBA114EDXV6T1G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产，属于 双极型晶体管（BJT）阵列 - 预偏置型。该器件内部集成了多个晶体管及偏置电阻，常用于需要简化电路设计、提高稳定性和减小PCB空间的应用。 其主要应用场景包括： 1. 逻辑电平转换：在数字电路中实现不同电压域之间的信号转换，如将3.3V逻辑信号转换为5V逻辑信号。 2. 接口电路：用于微控制器、FPGA、DSP等数字器件与外围设备（如传感器、LED、继电器）之间的驱动和隔离。 3. 开关控制：适用于中低功率开关应用，如LED驱动、继电器驱动、小型电机控制等。 4. 放大电路：在低频、小信号条件下作为前置放大器使用。 5. 汽车电子系统：因具备良好的稳定性和集成预偏置电阻，适合用于车载控制模块、传感器接口等。 6. 消费类电子产品：如智能家电、便携设备中的信号处理和开关控制。 该器件采用小型封装（如SOT-553），适合高密度PCB布局，且由于内置偏置电阻，可减少外围元件数量，提高电路可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA114EDXV6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA114EDXV6T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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