Datasheet下载- 型号： EMD4DXV6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMD4DXV6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMD4DXV6T5G价格参考。ON SemiconductorEMD4DXV6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMD4DXV6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMD4DXV6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为EMD4DXV6T5G的器件由ON Semiconductor（安森美半导体）生产，属于预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列。该器件常用于需要简化电路设计、提高稳定性和减少外部元件数量的应用场合。 EMD4DXV6T5G内部集成了两个预偏置的BJT晶体管，通常为NPN和PNP组合，内置偏置电阻，使其能够直接用于开关或放大电路中，无需额外的偏置电路设计。这种特性使其特别适用于便携式电子设备、电源管理、接口电路、逻辑电平转换、LED驱动以及小型信号放大等场景。 此外，该器件采用小型化表面贴装封装（如SOT-563），适用于空间受限的高密度PCB设计，广泛应用于通信设备、消费电子、工业控制和汽车电子等领域。其高稳定性和可靠性也使其适合在较复杂或恶劣的环境中工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | EMD4DXV6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k，10k |
| 频率-跃迁 | - |
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