Datasheet下载- 型号： SMUN5112DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5112DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5112DW1T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5112DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMUN5112DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5112DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5112DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个NPN型BJT晶体管，每个均内置基极和发射极电阻，简化了外部电路设计。该器件采用SOT-563（SC-88）小型封装，适合高密度贴装。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：因其小尺寸和低功耗特性，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换、电平转换和驱动控制。 2. 逻辑电平转换：在不同电压逻辑系统（如1.8V与3.3V或5V之间）中实现信号接口匹配，常用于微控制器与外围器件的通信接口。 3. LED驱动与指示灯控制：可用于驱动低功率LED指示灯或背光，内置电阻减少了外围元件数量，提高可靠性。 4. 开关电路：适用于中小电流开关应用，如继电器驱动、传感器信号调理、电源管理模块中的通断控制。 5. 消费类电子产品：如电视、机顶盒、家用电器控制板中用于按钮输入检测、负载开关等。 6. 工业与汽车电子：在环境要求较高的场景中，用于信号放大、噪声抑制和接口缓冲，具备良好的稳定性和温度适应性。 SMUN5112DW1T1G的优势在于集成度高、节省PCB空间、降低设计复杂度，特别适合对体积和成本敏感的应用。同时，其符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SMUN5112DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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