Datasheet下载- 型号： MUN5213DW1T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5213DW1T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5213DW1T3G价格参考。ON SemiconductorMUN5213DW1T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5213DW1T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5213DW1T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5213DW1T3G是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，主要应用于需要高稳定性和集成度的电子电路中。该器件内部集成了多个BJT晶体管及偏置电阻，简化了外围电路设计，提高了系统可靠性。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、电压调节模块中的开关控制和电流检测。 2. 工业控制系统：在PLC、传感器接口和继电器驱动电路中实现信号放大与隔离。 3. 消费电子产品：如电视、音响设备中的音频功率放大和逻辑电平转换。 4. 汽车电子：用于车载充电系统、照明控制和电机驱动模块。 5. 通信设备：作为射频功率放大器或接口电路中的关键元件。 由于其集成预偏置电阻，MUN5213DW1T3G可有效减少PCB面积并提升制造良率，适用于对空间和稳定性要求较高的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5213DW1T3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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