Datasheet下载- 型号： NSVB1706DMW5T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVB1706DMW5T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVB1706DMW5T1G价格参考。ON SemiconductorNSVB1706DMW5T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVB1706DMW5T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVB1706DMW5T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NSVB1706DMW5T1G的器件属于安森美半导体（ON Semiconductor）的产品线，是一款集成了双极结型晶体管（BJT）和预偏置电阻的阵列器件。该器件通常包含多个BJT晶体管，每个晶体管的基极和发射极之间已经集成了偏置电阻，简化了外围电路设计。 应用场景包括： 1. 逻辑电平转换：适用于不同电压域之间的信号转换，例如将3.3V逻辑信号转换为5V逻辑信号，广泛用于嵌入式系统和接口电路中。 2. 驱动电路：用于驱动LED、继电器、小型电机或其他负载，预偏置设计可减少外围元件数量，提高可靠性。 3. 电源管理电路：可用于电源开关控制、负载切换等场合，适用于便携式设备、电池管理系统。 4. 工业控制：在PLC、传感器接口、工业自动化设备中用于信号放大和开关控制。 5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、智能家电等，用于简化电路设计、节省PCB空间。 该器件因其集成度高、封装小巧、使用方便，适用于对空间和设计复杂度有要求的中低功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SC88-A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVB1706DMW5T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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