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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD2,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD2,315价格参考。NXP SemiconductorsPEMD2,315封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMD2,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMD2,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMD2,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个匹配的 NPN 晶体管,每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置为 R₁=10 kΩ, R₂=10 kΩ),实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括: - 数字逻辑接口与电平转换:用于微控制器(MCU)、FPGA 或逻辑IC与外围器件(如LED、继电器、小功率MOSFET栅极)之间的信号驱动与电平适配,简化电路设计,提升响应速度与可靠性。 - LED 驱动与指示电路:常用于多路LED背光或状态指示控制,预偏置结构确保晶体管快速饱和导通,降低功耗并避免因MCU GPIO驱动能力不足导致的亮度不均。 - 开关电源辅助电路:在DC-DC转换器或LDO中用作使能控制、故障检测信号调理或反馈路径中的电平移位/隔离开关。 - 工业I/O模块与传感器接口:作为输入信号调理单元,对来自按钮、光电开关或接近传感器的弱信号进行整形与放大,提高抗干扰能力。 - 消费电子待机/唤醒电路:利用其低输入电流(典型IBI≈0.2 mA)特性,适用于电池供电设备的低功耗唤醒检测路径。 该器件采用SOT-666封装,体积小、热性能优,支持-55°C至+150°C工作温度范围,符合AEC-Q101标准(部分版本),亦适用于汽车电子基础控制模块。其集成化设计显著减少PCB面积与BOM数量,提升量产一致性与可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TransDigital BJT NPN PNP 50V 100mA 6-Pin |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMD2,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMD2,315 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056860315 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SS-Mini-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | - |