Datasheet下载- 型号： MUN5135DW1T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5135DW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5135DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5135DW1T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5135DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5135DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5135DW1T1是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内置两个由电阻配置的NPN晶体管，集成基极-发射极和基极-集电极偏置电阻，简化电路设计。该器件采用SOT-26封装，具有体积小、可靠性高、响应速度快等特点。 主要应用场景包括： 1. 消费类电子产品：广泛用于手机、平板、电视等设备中的信号切换、LED驱动及逻辑电平转换电路，因其集成电阻可减少外围元件数量，节省PCB空间。 2. 便携式设备：适用于电池供电设备如智能手表、无线耳机等，得益于低功耗特性和小型封装，有助于延长续航并实现紧凑设计。 3. 工业控制与家电：用于微控制器输出驱动继电器、蜂鸣器或指示灯，预偏置设计使开关动作更稳定，提升系统可靠性。 4. 通信接口电路：在I²C、GPIO扩展等数字信号处理中作为缓冲或驱动级，实现电平匹配与信号放大。 5. 汽车电子：应用于车身控制模块（BCM）、车内照明控制等非动力系统，满足车规级工作温度范围与稳定性要求。 MUN5135DW1T1凭借其高集成度和易用性，特别适合需要简化设计、提高组装效率的中低功率开关应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5135DW1T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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