Datasheet下载- 型号： NSBA143EDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA143EDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA143EDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBA143EDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA143EDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA143EDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBA143EDXV6T1G是一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了一个带内置偏置电阻的NPN晶体管。该器件采用小型SOT-563封装，具有高集成度和节省空间的优势，适用于需要简化电路设计和提高可靠性的场合。 其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号开关、电平转换和LED驱动电路，得益于其小尺寸和低功耗特性。 2. 消费类电子产品：用于LCD背光控制、按键输入缓冲、逻辑电平转换等，内置偏置电阻减少了外部元件数量，降低整体成本。 3. 工业控制与传感器接口：在微控制器与继电器、指示灯或传感器之间作为驱动或开关使用，简化PCB布局并提升系统稳定性。 4. 电源管理电路：用于开启/关断负载或电源路径控制，实现高效节能设计。 NSBA143EDXV6T1G具备良好的开关性能和温度稳定性，支持快速响应和可靠运行。其预偏置结构避免了传统BJT需外接基极电阻的设计复杂性，缩短开发周期，特别适合高密度贴装和自动化生产。广泛应用于对空间、功耗和可靠性要求较高的现代电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA143EDXV6T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA143EDXV6T1GOS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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