Datasheet下载- 型号： MUN5112DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5112DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5112DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5112DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5112DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5112DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5112DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个带有内置偏置电阻的NPN晶体管。该器件将偏置电阻集成于芯片内部，简化了外围电路设计，无需外接基极电阻，特别适用于空间受限和高密度贴装的应用场景。 典型应用场景包括： 1. 开关电路：常用于LED驱动、继电器控制、电源管理等低功率开关应用，其内置电阻可直接通过逻辑电平驱动，提升系统可靠性。 2. 信号放大与逻辑转换：在数字电路中实现电平转换或小信号放大，适用于微控制器与负载之间的接口电路。 3. 便携式电子设备：由于其小型化封装（如SOT-26），广泛应用于手机、平板、可穿戴设备等对体积敏感的产品中。 4. 消费类电子产品：如电视、机顶盒、家用电器中的控制模块，用于实现高效、稳定的信号控制。 5. 工业控制与传感器接口：用于驱动指示灯、光耦或传感器信号调理电路，提高系统集成度并降低BOM成本。 MUN5112DW1T1G具备良好的温度稳定性和可靠性，符合RoHS环保要求，适合自动化贴片生产，是现代电子设计中理想的晶体管替代方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5112DW1T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
.jpg)
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MUN5112DW1T1G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商