Datasheet下载- 型号： MUN5312DW1T2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5312DW1T2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5312DW1T2G价格参考。ON SemiconductorMUN5312DW1T2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5312DW1T2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5312DW1T2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5312DW1T2G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT）阵列器件，广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 开关电路：该器件可作为高效开关使用，适用于数字电路中的逻辑驱动、电源控制及负载开关等场合，尤其适合需要快速开关响应的应用。 2. 逻辑电平转换：MUN5312DW1T2G可用于不同电压逻辑系统之间的信号转换，例如将3.3V逻辑信号转换为5V逻辑信号，适用于嵌入式系统和接口电路。 3. 继电器或LED驱动：由于其内置偏置电阻，简化了外部电路设计，因此非常适合用于驱动小型继电器、LED指示灯或数码管等低功率负载。 4. 电机控制：在小型直流电机或步进电机的控制电路中，可作为驱动晶体管使用，实现对电机启停或方向的控制。 5. 工业自动化和消费类电子产品：该器件具有较高的稳定性和集成度，广泛应用于工业控制模块、家电控制板、传感器接口等场景。 该器件采用SOT-26封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，且具备良好的热稳定性和可靠性，适合在各类中低功率应用中替代分立晶体管和电阻组合，提高设计效率与一致性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5312DW1T2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 385mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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