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产品简介:
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NSBC144EPDXV6T5G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内置偏置电阻,采用小型SOT-23封装。该器件集成了一个NPN晶体管及两个片上电阻(通常为基极和发射极电阻),简化了电路设计并减少了外围元件数量。 主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备:由于其小尺寸和低功耗特性,广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号开关与电平转换电路。 2. 电源管理与逻辑控制:常用于DC-DC转换器的驱动电路、电源开关控制、LED驱动以及微控制器与负载之间的接口电路。 3. 消费类电子产品:在家电控制板、遥控器、智能家居模块中用于实现继电器、指示灯或传感器的开关控制。 4. 工业与汽车电子:适用于传感器信号调理、继电器驱动、电机控制等场景,具备良好的温度稳定性和可靠性,适合在较宽温度范围内工作。 5. 数字逻辑接口:作为电平移位器或缓冲器,连接不同电压逻辑系统(如3.3V MCU控制5V外设)。 该器件因集成电阻而降低组装成本,提升可靠性,特别适用于空间受限、高密度贴装的印刷电路板设计。同时,其符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSBC144EPDXV6T5G |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-563 |
其它名称 | NSBC144EPDXV6T5GOS |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
频率-跃迁 | - |