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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC124EPDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC124EPDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC124EPDXV6T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBC124EPDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC124EPDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSBC124EPDXV6T1G 的晶体管属于 ON Semiconductor 生产的 预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,常用于需要简化电路设计、提高稳定性和节省空间的场景。 该器件内部集成了一个或多个BJT晶体管,并带有内置偏置电阻,可直接与逻辑电平接口,无需外部偏置电路。这使其非常适合用于以下应用场景: 1. 数字开关电路:用于逻辑控制、信号切换,如微控制器输出驱动。 2. LED驱动电路:适用于需要恒流或开关控制的LED显示或照明系统。 3. 继电器或蜂鸣器驱动:作为低侧开关控制负载。 4. 接口电路:用于连接不同电压电平的系统模块,实现电平转换和隔离。 5. 消费类电子产品:如家电、智能穿戴设备中的小型化控制电路。 其封装为小型SMT(如SOT-723或类似),适合高密度PCB布局,广泛应用于便携设备和自动化控制系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSBC124EPDXV6T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSBC124EPDXV6T1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | Transistors Bipolar- Bias Resistor |
供应商器件封装 | SOT-563 |
其它名称 | NSBC124EPDXV6T1GOSDKR |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 22 kOhms |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 357 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-563-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
系列 | NSBC124EPDXV6 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | - |