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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114YDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114YDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC114YDXV6T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBC114YDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC114YDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSBC114YDXV6T1G 的晶体管属于 安森美半导体(ON Semiconductor)生产的 预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列。该器件将一个晶体管与一个内置偏置电阻的结构集成在一个封装中,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。 主要应用场景包括: 1. 逻辑电平转换与开关电路:适用于数字电路中不同电压电平之间的信号转换,如将微控制器输出信号转换为适合驱动继电器、LED或MOSFET的信号。 2. 传感器接口电路:用于传感器信号的放大或开关控制,特别是在需要简化偏置设计的场合。 3. LED驱动电路:由于其内置电阻,可直接用于LED的开关控制,避免外接多个分立元件。 4. 工业控制与自动化系统:在PLC(可编程逻辑控制器)、继电器驱动及工业开关电路中广泛应用。 5. 消费类电子产品:如家电、智能玩具、遥控器等,用于信号放大或负载开关。 6. 汽车电子系统:如车载传感器、LED照明控制、车载娱乐系统中的信号处理。 该器件具有封装小、集成度高、使用方便等优点,特别适合空间受限、设计简化需求高的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V Dual NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSBC114YDXV6T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSBC114YDXV6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC114YDXV6T1GOSDKR |
| 典型电阻器比率 | 0.21 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 357 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | NSBC114YDXV6 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |