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  • 型号: NSBC114YDXV6T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114YDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114YDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC114YDXV6T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBC114YDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC114YDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 NSBC114YDXV6T1G 的晶体管属于 安森美半导体(ON Semiconductor)生产的 预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列。该器件将一个晶体管与一个内置偏置电阻的结构集成在一个封装中,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。

 主要应用场景包括:

1. 逻辑电平转换与开关电路:适用于数字电路中不同电压电平之间的信号转换,如将微控制器输出信号转换为适合驱动继电器、LED或MOSFET的信号。

2. 传感器接口电路:用于传感器信号的放大或开关控制,特别是在需要简化偏置设计的场合。

3. LED驱动电路:由于其内置电阻,可直接用于LED的开关控制,避免外接多个分立元件。

4. 工业控制与自动化系统:在PLC(可编程逻辑控制器)、继电器驱动及工业开关电路中广泛应用。

5. 消费类电子产品:如家电、智能玩具、遥控器等,用于信号放大或负载开关。

6. 汽车电子系统:如车载传感器、LED照明控制、车载娱乐系统中的信号处理。

该器件具有封装小、集成度高、使用方便等优点,特别适合空间受限、设计简化需求高的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V Dual NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSBC114YDXV6T1G-

数据手册

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产品型号

NSBC114YDXV6T1G

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,10V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-563

其它名称

NSBC114YDXV6T1GOSDKR

典型电阻器比率

0.21

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

500mW

功率耗散

357 mW

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-563-6

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

4000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

系列

NSBC114YDXV6

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

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