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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD10,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD10,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD10,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMD10,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMD10,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMD10,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个 NPN 晶体管,各集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁=10 kΩ,R₂=10 kΩ),支持直接逻辑电平驱动,无需外部偏置电路。其主要应用场景包括: - 数字接口电平转换与信号缓冲:用于微控制器(如ARM、PIC)GPIO扩展,驱动LED、继电器或小功率逻辑负载,简化PCB设计; - LED驱动电路:单芯片驱动多路指示灯,利用预偏置特性实现稳定开关,降低功耗与外围元件数量; - 电源管理中的使能/复位控制:在DC-DC模块或LDO中作为受控开关,实现上电时序控制或故障隔离; - 工业I/O模块输入调理:对来自传感器或按钮的开关信号进行整形、电平适配与噪声抑制; - 消费电子待机控制电路:如电视、机顶盒中用于低功耗唤醒路径,具备高输入阻抗与快速开关特性(fₜ ≈ 120 MHz,tₛ ≤ 3 ns)。 该器件采用SOT-363(SC-70-6)封装,体积小、热性能优,符合AEC-Q100(Grade 3)可靠性标准,适用于汽车电子(如车身控制模块)、工控及便携设备等对空间、可靠性和设计简洁性要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMD10,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMD10,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056858115 |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMD10 T/R |
| 频率-跃迁 | - |