图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： NSBC123EDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC123EDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC123EDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC123EDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC123EDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC123EDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC123EDXV6T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内置电阻，采用SOT-563封装。该器件集成了一个NPN晶体管及内置基极和发射极电阻，简化了电路设计，提高了可靠性。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于其小型化封装和低功耗特性，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号开关与电平转换电路。 2. 电源管理与逻辑控制：在DC-DC转换器、电源开关、LED驱动等电路中，作为控制接口的驱动或缓冲级，实现微控制器与负载之间的隔离与驱动增强。 3. 消费类电子产品：适用于电视、机顶盒、家用电器中的继电器驱动、按键扫描和传感器信号调理等场景。 4. 工业与汽车电子：因其良好的温度稳定性和可靠性，可用于汽车信息娱乐系统、车身控制模块（如车灯控制、风扇驱动）及工业控制板中的小信号放大与开关应用。 5. 数字电路接口：常用于微处理器系统的I/O扩展、电平移位和噪声抑制，减少外围元件数量，提升系统集成度。 NSBC123EDXV6T1G的优势在于内置偏置电阻，无需外部配置，缩短设计周期，提高生产一致性，同时具备快速开关响应和高ESD防护能力，适合高密度、高可靠性的现代电子系统需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC123EDXV6T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC123EDXV6T1GOS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NSBC123EDXV6T1G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商