Datasheet下载- 型号： NSBC114TDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114TDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114TDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC114TDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC114TDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC114TDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSBC114TDP6T5G 的晶体管属于 ON Semiconductor 生产的 预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，主要用于需要稳定偏置和快速开关特性的场合。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 数字开关电路：该器件集成预偏置电阻，使其在数字电路中可直接作为开关使用，无需外加偏置电路，适用于逻辑控制、继电器驱动、LED驱动等场景。 2. 汽车电子系统：由于ON Semiconductor的产品通常具有良好的温度稳定性和可靠性，NSBC114TDP6T5G常用于汽车控制模块、传感器接口、车载照明控制等环境。 3. 工业控制设备：可用于PLC（可编程逻辑控制器）、电机驱动控制、电源管理模块等工业自动化设备中，实现信号放大或负载开关功能。 4. 消费类电子产品：如电源适配器、充电器、智能家电等，用于低功率信号处理或作为接口驱动元件。 5. 便携式设备：因其封装小、功耗低，适用于电池供电设备中的信号切换与控制。 总结：NSBC114TDP6T5G适用于需要简化电路设计、提高稳定性和节省空间的中低功率应用场合，尤其适合在汽车与工业控制领域中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC114TDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 339mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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