Datasheet下载- 型号： PEMD12,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD12,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD12,315价格参考。NXP SemiconductorsPEMD12,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMD12,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD12,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PEMD12,315是一款双通道、NPN+NPN结构的预偏置双极晶体管阵列（带内置基极-发射极和基极-集电极电阻），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装。其典型应用场景包括： - 数字逻辑接口电平转换与驱动：用于微控制器（如STM32、ESP32）GPIO引脚驱动LED、小型继电器或光耦输入端，简化外围电路设计（无需外接偏置电阻）； - 板级信号开关与负载控制：在消费电子（如TWS耳机充电仓、智能手环）、白色家电（如洗衣机面板指示灯控制）中，实现低功耗、高可靠性的信号通断； - I/O扩展与总线缓冲：配合MCU实现多路LED/按键扫描、SPI/I²C外设使能控制等，提升PCB空间利用率； - 汽车电子辅助功能：适用于AEC-Q101认证版本（需确认具体料号后缀），用于车身控制模块（BCM）中的非安全关键信号调理，如车窗状态指示、阅读灯控制等； - 工业传感器接口：作为光电开关、霍尔传感器等数字输出信号的整形与电流放大级，增强抗干扰能力。 该器件集成双通道及优化阻值（R1=10kΩ, R2=10kΩ），支持30V VCEO、100mA IC（连续），具备高增益（hFE 80–600）、低饱和压降（VCE(sat) < 0.15V @ 10mA）及快速开关特性（tf < 5ns），显著降低BOM成本与设计复杂度。适用于对尺寸、功耗和可靠性有较高要求的便携式及嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMD12,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056859315 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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