Datasheet下载- 型号： PEMD12,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD12,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD12,315价格参考。NXP SemiconductorsPEMD12,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMD12,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD12,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Nexperia USA Inc.、分类为晶体管—双极型晶体管（BJT）—阵列—预偏置型、型号为PEMD12,315的器件，是一种集成了多个预偏置双极晶体管的半导体元件，适用于需要高效、小型化和稳定性能的电路设计。其主要应用场景包括： 1. 逻辑电平转换：用于不同电压域之间的信号转换，如将低压微控制器信号转换为高压系统可识别的信号。 2. 开关电路：适合用于中低功率的开关控制，例如LED驱动、继电器或小型电机控制。 3. 信号放大：适用于模拟信号的前置放大或音频信号处理。 4. 接口电路：在数字电路与模拟电路之间提供缓冲或驱动能力。 5. 工业控制设备：如PLC、传感器接口、工业自动化系统等，提供可靠和稳定的开关与放大功能。 该器件由于集成预偏置电阻，减少了外围元件数量，简化了电路设计，提高了系统可靠性，适合高密度PCB布局。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMD12,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056859315 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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