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Datasheet下载- 型号： IMH10AT110
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IMH10AT110产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IMH10AT110由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMH10AT110价格参考。ROHM SemiconductorIMH10AT110封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6。您可以下载IMH10AT110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IMH10AT110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的IMH10AT110是一款双极性晶体管（BJT）阵列，具有预偏置功能。该型号的应用场景主要集中在需要高性能、高精度和低功耗的电子电路设计中。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大：IMH10AT110可用于音频设备、传感器信号调理电路等需要高增益和低失真的信号放大应用中。其预偏置特性有助于稳定工作点，减少信号失真。 2. 模拟开关：在多路复用器或解复用器中，这款晶体管阵列可以作为模拟开关使用，实现不同信号通道的切换，适用于数据采集系统或测试测量设备。 3. 电流镜电路：IMH10AT110适合构建精密电流镜电路，用于电源管理模块、基准电流源以及LED驱动器等场合，确保电流输出的稳定性和一致性。 4. 温度补偿电路：由于其良好的匹配特性和稳定的温度特性，该晶体管阵列可应用于温度补偿电路中，提高电路在宽温范围内的性能稳定性。 5. 功率放大器偏置控制：在射频（RF）或音频功率放大器中，IMH10AT110可以用作偏置控制器，优化放大器的工作状态，降低交越失真并提升效率。 6. 小型化设计支持：得益于紧凑的封装形式，该器件非常适合便携式设备、消费电子产品及物联网（IoT）终端中的空间受限设计。 总之，IMH10AT110凭借其优异的电气特性和可靠性，在各种工业、通信、医疗及消费类电子产品领域中均有广泛的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 50V 100MA SOT-457 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor IMH10AT110- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IMH10AT110 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 其它名称 | IMH10AT110TR |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
