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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PBLS2023D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS2023D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS2023D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS2023D,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBLS2023D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS2023D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS2023D,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1/R2），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装，含两个独立的NPN预偏置晶体管。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）GPIO引脚与外部负载（LED、继电器、小功率MOSFET栅极）之间的缓冲/驱动，简化外围电路设计； 2. LED及指示灯控制：凭借内置基极偏置电阻，可直接由3.3V/5V逻辑信号驱动多路LED，无需外接限流与偏置电阻，节省PCB空间； 3. 低功耗开关应用：适用于电池供电设备（如IoT传感器节点、可穿戴设备）中的电源管理、信号选通或负载开关，典型饱和压降低（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA），提升能效； 4. 总线/信号线路保护与隔离：在I²C、SPI等通信总线中用作弱上拉增强或信号整形，抑制噪声干扰； 5. 消费电子与家电控制板：如智能插座、遥控器、白色家电面板按键扫描电路等，满足高可靠性、小尺寸与低成本需求。 该器件符合AEC-Q100标准（部分批次），亦适用于工业控制及汽车电子辅助系统（非安全关键路径）。整体优势在于集成度高、设计简洁、量产一致性好，显著缩短开发周期。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 20V/1.6A LOADSWITCH IN SOT457 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PBLS2023D,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBLS2023D,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 210mV @ 100mA， 1.8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V / 200 @ 1A，2V |
| 产品种类 | Voltage Regulators - LDO |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 934061575115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 760mW |
| 功率耗散 | 370 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74-6 |
| 峰值直流集电极电流 | - 3 A |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 1 PNP 预偏压式，1 PNP |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，1.8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 220 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 20 V |
| 集电极连续电流 | - 1.8 A |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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