Datasheet下载- 型号： MUN5231DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5231DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5231DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5231DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5231DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5231DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5231DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个NPN型BJT晶体管，每个晶体管的基极和发射极之间均内置了偏置电阻，简化了外部电路设计。该器件采用SOT-26封装，具有体积小、集成度高、可靠性强的特点。 其典型应用场景包括：各类中小功率开关电路，如LED驱动、继电器控制、电源管理模块中的电平转换与信号切换；在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中用于电池供电系统的负载开关或状态指示控制；工业控制领域中作为逻辑信号放大器或驱动接口，实现微控制器与执行元件之间的信号隔离与驱动增强；还可用于消费类电子产品中的传感器信号调理电路或小型电机控制。 由于内置偏置电阻，MUN5231DW1T1G无需外接基极电阻，有效减少了PCB面积和元件数量，提高了系统稳定性，特别适用于空间受限且对成本敏感的设计。同时，该器件具备良好的温度稳定性和电气特性，适合在较宽温度范围内稳定工作，广泛应用于汽车电子、通信设备及家用电器等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5231DW1T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
.jpg)
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MUN5231DW1T1G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商