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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH9,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH9,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH9,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMH9,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMH9,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PEMH9,115 是一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内置电阻,适用于多种中低功率开关与信号放大场景。该器件采用SOT-26封装,集成两个带有内置偏置电阻的NPN晶体管,简化电路设计,减少外部元件数量,提高系统可靠性。 典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备:如智能手机、平板电脑中的LED驱动、电源管理开关或信号切换电路,得益于其小型化封装和低功耗特性。 2. 消费类电子产品:用于LCD背光控制、按键输入缓冲、继电器或蜂鸣器驱动等逻辑接口电路。 3. 工业控制:在微控制器输出增强、传感器信号调理或数字信号电平转换中发挥开关作用。 4. 通信设备:适用于数据线路的开关与隔离,提升信号完整性。 PEMH9,115具备良好的温度稳定性和快速开关响应,适合高密度PCB布局。其内置偏置电阻优化了基极驱动,避免因外部电阻失配导致的工作点漂移,特别适用于对空间和可靠性要求较高的应用环境。广泛用于需要紧凑设计和高效性能的中低端功率控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMH9,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMH9,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-11268-6 |
| 典型电阻器比率 | 0.213 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMH9 T/R |
| 频率-跃迁 | - |