Datasheet下载- 型号： NSBC123EPDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC123EPDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC123EPDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC123EPDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC123EPDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC123EPDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBC123EPDXV6T1G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置电阻，适用于需要简化电路设计和节省PCB空间的应用场景。该器件集成了一个或多个BJT晶体管，并内置基极和发射极电阻，无需外接偏置电阻，提高了电路可靠性并降低了元件数量。 典型应用场景包括： 1. 开关电路：广泛用于LED驱动、继电器控制、电源管理等低功率开关应用，其预偏置结构使开启/关断更稳定，响应速度快。 2. 逻辑电平转换：在数字系统中实现不同电压逻辑之间的信号转换，如将3.3V MCU信号转换为5V输出，适合微控制器接口电路。 3. 便携式电子设备：因其小型化封装（如SOT-563）和低功耗特性，常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号控制与负载切换。 4. 消费类电子产品：应用于电视、机顶盒、家用电器中的传感器信号放大或驱动电路。 5. 工业控制：用于传感器接口、小信号放大及驱动继电器或指示灯等执行元件。 NSBC123EPDXV6T1G具有高可靠性、良好的温度稳定性及ESD保护能力，适合对空间和稳定性要求较高的紧凑型电子设备。其一体化设计显著降低了设计复杂度，是替代传统分立晶体管加电阻组合的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC123EPDXV6T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC123EPDXV6T1GOS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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