Datasheet下载- 型号： NSBA143ZDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA143ZDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA143ZDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA143ZDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA143ZDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA143ZDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA143ZDP6T5G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内置电阻，采用双通道SOT-563封装。该器件集成了两个带内置基极和发射极电阻的NPN型BJT晶体管，简化了电路设计，减少了外围元件数量。 其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于体积小、功耗低，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号开关、电平转换和逻辑驱动电路。 2. 电源管理与开关控制：在电池供电系统中用于负载开关、LED驱动或小型继电器控制，内置电阻可直接通过逻辑信号驱动，提升可靠性。 3. 消费类电子产品：如家用电器、遥控器、智能家居模块中，用于实现低电压逻辑控制与功率负载之间的接口功能。 4. 工业与汽车电子：适用于传感器信号调理、小功率执行器驱动等场景，具备良好的温度稳定性和可靠性，满足严苛环境需求。 5. 数字逻辑接口：作为微控制器与高电流负载之间的缓冲级，实现电平匹配与电流放大。 NSBA143ZDP6T5G因其集成化设计，显著缩小PCB面积，提高生产良率，特别适合高密度、小型化电子产品。同时，其稳定的电气性能和车规级认证（AEC-Q101），也使其在汽车电子中广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA143ZDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 408mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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