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  • 型号: UMG3NTR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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UMG3NTR产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供UMG3NTR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMG3NTR价格参考¥0.22-¥0.22。ROHM SemiconductorUMG3NTR封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5。您可以下载UMG3NTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UMG3NTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

UMG3NTR是由Rohm Semiconductor生产的双极晶体管(BJT)阵列,属于预偏置类型。该型号的应用场景主要集中在需要高性能、高精度和低噪声的模拟电路设计中。以下是其典型应用场景:

1. 音频放大器  
   UMG3NTR适用于高品质音频设备中的前置放大器或驱动级电路。由于其预偏置特性,能够提供稳定的直流工作点,减少失真,确保音频信号的高质量传输。

2. 运算放大器补偿  
   在精密运放电路中,该器件可作为输入级或输出级的辅助晶体管,用于改善增益带宽、降低噪声以及优化线性性能。

3. 传感器信号调理  
   对于微弱信号的传感器应用(如温度、压力或光电传感器),UMG3NTR可以用来构建低噪声放大电路,以提高信号处理的灵敏度和准确性。

4. 电源管理电路  
   在某些线性稳压器或电流源电路中,该晶体管阵列可用于实现精确的电流控制和电压调节,特别适合对稳定性要求较高的场合。

5. 测试与测量设备  
   例如示波器、数字万用表等仪器中,UMG3NTR可用于构建高速采样保持电路或缓冲放大器,保证测量结果的可靠性。

6. 射频(RF)及通信电路  
   虽然不是专门的RF晶体管,但其优异的电气参数使其可以在低频段的通信模块中发挥作用,比如中频放大或调制解调电路。

7. 工业自动化控制  
   在电机驱动、伺服控制系统等领域,该器件可用于构建功率放大级或保护电路,确保系统的稳定运行。

总结来说,UMG3NTR凭借其卓越的电气特性和预偏置设计,在需要高精度、低噪声和稳定工作的各类电子系统中具有广泛的应用价值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL NPN UMT5开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 50V 100MA SOT-353

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor UMG3NTR-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

UMG3NTR

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

UMT5

其它名称

UMG3NTRDKR
UMG3NTRDKR-ND

典型输入电阻器

4.7 kOhms

功率-最大值

150mW

功率耗散

100 mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353

封装/箱体

UM-5

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

配置

Dual Common Emitter

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

250MHz

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