Datasheet下载- 型号： NSBA123JDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA123JDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA123JDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA123JDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA123JDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA123JDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBA123JDP6T5G是一款预偏置双极性晶体管阵列，内置两个带有集成基极电阻的NPN晶体管，采用SOT-563封装，具有尺寸小、集成度高、外围元件少等优点。该器件广泛应用于需要简化电路设计和节省PCB空间的场景。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中用于信号切换、LED驱动或逻辑电平转换，其小型封装有助于减小整体体积。 2. 消费类电子产品：在电视、机顶盒、遥控器等产品中作为开关元件，控制继电器、指示灯或传感器接口。 3. 工业控制与电源管理：用于驱动继电器、MOSFET栅极或小功率负载，预置电阻简化了偏置电路设计，提高系统可靠性。 4. 通信模块：在无线模块、接口电路中实现信号放大或数字开关功能。 5. 汽车电子：适用于车身控制模块、车载信息娱乐系统中的低功耗开关应用，满足AEC-Q101可靠性标准，具备良好温度稳定性。 NSBA123JDP6T5G因其高集成度、稳定性和易于使用的特点，在需要高效、紧凑设计的各类电子系统中表现出色，特别适合替代分立晶体管加电阻方案，降低生产成本并提升一致性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA123JDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 408mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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