Datasheet下载- 型号： NSM21156DW6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSM21156DW6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSM21156DW6T1G价格参考。ON SemiconductorNSM21156DW6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSM21156DW6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSM21156DW6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSM21156DW6T1G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产，属于 双极型晶体管（BJT）阵列 - 预偏置型。该器件内部集成了多个预偏置晶体管，通常用于简化电路设计并提高系统稳定性。 应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于需要多路控制的电源开关或稳压电路，利用其预偏置特性可减少外围元件数量，提升响应速度。 2. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动器和传感器接口电路，提供稳定可靠的开关控制功能。 3. 汽车电子系统：用于车载电源系统、LED照明控制、电机驱动等场景，满足汽车环境对稳定性和可靠性的高要求。 4. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑和智能家居设备中的信号切换、负载驱动和接口扩展。 5. 通信设备：在基站、路由器或交换设备中用于信号路由、功率控制和电源切换。 该器件具备高集成度和良好的热稳定性，适合对空间和效率有要求的中低功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSM21156DW6T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA / 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V / 220 @ 2mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，65V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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