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产品简介:
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NSBA124EDP6T5G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内部集成了两个带内置偏置电阻的NPN晶体管。该器件采用SOT-563(SC-88)小型封装,适合高密度、空间受限的便携式电子设备。 其典型应用场景包括: 1. 逻辑信号电平转换:在不同电压逻辑系统(如3.3V与5V之间)中实现快速、可靠的信号转换。 2. 开关电路:用于LED驱动、继电器控制、小功率负载开关等,因内置偏置电阻可简化外围设计,减少元件数量。 3. 便携式电子产品:广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理或信号控制模块,得益于其小尺寸和低功耗特性。 4. 接口缓冲与驱动:在微控制器与外设之间提供信号放大与隔离,提高驱动能力。 5. 消费类电子与工业控制:适用于各类需要紧凑、可靠晶体管开关功能的电路,如传感器信号调理、编码器驱动等。 NSBA124EDP6T5G的优势在于集成度高、节省PCB空间、提升可靠性,并支持自动化贴装,适合大规模生产。其内置电阻优化了开关特性,降低了设计复杂度,是现代电子系统中理想的通用开关解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT963 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSBA124EDP6T5G |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-963 |
功率-最大值 | 408mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-963 |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
频率-跃迁 | - |