ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SSM3J331R,LF
Datasheet下载- 型号： SSM3J331R,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3J331R,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3J331R,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3J331R,LF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 4A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F。您可以下载SSM3J331R,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3J331R,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM3J331R,LF 是 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款晶体管具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性，适用于多种应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 电源管理 SSM3J331R,LF 常用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够高效地控制电流的通断，减少功率损耗，提高系统的能效。由于其低导通电阻（Rds(on)），在大电流应用中可以显著降低发热，延长设备寿命。 2. 电机驱动 在小型电机驱动电路中，该MOSFET可以作为开关元件，用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较高的电压和电流波动，确保电机运行稳定。此外，其快速开关特性有助于减少电磁干扰（EMI），提升系统的可靠性。 3. 消费电子设备 这款MOSFET广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，特别是在电池管理和充电电路中。它可以实现高效的电源切换，确保设备在不同工作模式下的电力供应稳定，并且支持快速充电功能。 4. 工业自动化 在工业控制系统中，SSM3J331R,LF 可以用于信号隔离、负载切换等场合。它的高耐压特性和快速响应能力使其适合处理复杂的工业环境中的电气信号，确保系统的稳定性和安全性。 5. 通信设备 在通信基站、路由器等设备中，该MOSFET可用于电源模块和信号处理电路中，提供稳定的电源输出和信号传输。其低噪声特性有助于提高通信质量，减少误码率。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中，SSM3J331R,LF 可用于车载电源管理、车身控制模块（BCM）以及电动助力转向系统（EPS）等。它能够在恶劣的汽车环境中保持良好的性能，确保车辆的安全性和舒适性。 总的来说，SSM3J331R,LF 凭借其优异的电气特性，广泛应用于电源管理、电机驱动、消费电子、工业自动化、通信设备和汽车电子等领域，为各类电子系统提供高效、可靠的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 630 pF |
| 描述 | MOSFET P CH 20V 4A SOT-23FMOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J331R |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3J331R,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J331R |
| 产品型号 | SSM3J331R,LFSSM3J331R,LF |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 10.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.3 V to - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.3 V to - 1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 3A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23F |
| 其它名称 | SSM3J331RLFCT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |
| 封装/箱体 | SOT-23F-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
| 配置 | Single |
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