Datasheet下载- 型号： NSBA123JDXV6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA123JDXV6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA123JDXV6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA123JDXV6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA123JDXV6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA123JDXV6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA123JDXV6T5G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内置电阻，采用SOT-563封装。该器件集成了两个NPN型BJT晶体管，并内置基极和发射极电阻，简化了外部电路设计，提高了系统可靠性。 该产品广泛应用于便携式电子设备和中低功率控制电路中。典型应用场景包括：智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的逻辑信号切换与电平转换；LCD背光驱动或LED开关控制；各类消费类电子产品中的小型继电器或蜂鸣器驱动；以及电源管理模块中的开关控制功能。由于其内置偏置电阻，无需额外配置基极电阻，有效节省PCB空间，特别适用于高密度贴装的便携设备。 此外，NSBA123JDXV6T5G具备良好的开关特性与稳定的直流增益，适合用于数字信号放大与开关应用。其小尺寸、低功耗和高可靠性也使其在工业控制、传感器接口电路及通信设备中得到广泛应用。整体而言，该器件适用于需要紧凑设计、简化电路和高效开关性能的中低电流场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA123JDXV6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA123JDXV6T5GOS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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