Datasheet下载- 型号： MUN5235DW1T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5235DW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5235DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5235DW1T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5235DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5235DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5235DW1T1 是 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置产品。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 - MUN5235DW1T1 适合用于低噪声、高增益的信号放大电路中，例如音频前置放大器或传感器信号调理电路。 - 其预偏置特性使得它在设计时无需额外复杂的偏置电路，能够快速实现稳定的信号放大功能。 2. 开关应用 - 该器件可作为开关元件用于数字电路或控制电路中，例如驱动小型继电器、LED 或其他低功率负载。 - 在需要高频开关的应用中，其快速响应和低饱和电压特性使其表现优异。 3. 模拟电路设计 - 在模拟电路中，MUN5235DW1T1 可用于构建电流镜、差分放大器或其他精密模拟电路模块。 - 预偏置设计有助于简化电路设计并提高系统的稳定性和可靠性。 4. 通信设备 - 由于其高性能和稳定性，该型号可用于通信设备中的射频（RF）前端模块、调制解调器或数据传输接口中的信号处理部分。 5. 消费电子 - 在消费电子产品中，如遥控器、玩具、便携式音频设备等，MUN5235DW1T1 可用于功率管理或信号处理。 - 它的小型封装和低功耗特点非常适合对空间和能耗有严格要求的便携式设备。 6. 工业控制 - 在工业自动化领域，该器件可用于传感器信号采集、电机驱动控制或其他需要精确电流控制的应用。 - 其稳健的设计能够适应工业环境中常见的温度变化和电磁干扰。 7. 汽车电子 - MUN5235DW1T1 的高可靠性和预偏置特性使其适用于汽车电子中的简单控制电路，例如车内照明控制、传感器信号处理等。 总结来说，MUN5235DW1T1 凭借其双极晶体管阵列和预偏置设计，在信号放大、开关控制、模拟电路设计以及各种低功耗应用中表现出色，广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5235DW1T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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